IGC037S12S1XTMA1

Infineon Technologies
726-IGC037S12S1XTMA1
IGC037S12S1XTMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

ライフサイクル:
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予想2026/07/09
5,000
予想2026/07/23
工場リードタイム：
20
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥741.7 ¥742
¥479.2 ¥4,792
¥348.8 ¥34,880
¥298.3 ¥149,150
¥278.7 ¥696,750
完全リール（5000の倍数で注文）
¥242.9 ¥1,214,500

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
1 Channel
120 V
71 A
3.7 mOhms
6.5 V
2.9 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
組立国: MY
拡散国: AT
原産国: AT
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Transistors
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: 60 V - 120 V G3
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: P-Channel
タイプ: CoolGaN
別の部品番号: IGC037S12S1 SP006027453
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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