ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

IGL65R080D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R080D2XUMA1
Price: 980 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IGL65R080D2XUMA1

メーカ番号：

IGL65R080D2XUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

IGL65R080D2XUMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Infineon Technologies IGL65R080D2XUMA1の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	HEMT
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	18 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	100 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.6 V
Qg - ゲート電荷:	25 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	81 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolGaN
技術:	Si
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	17 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	GaN FETs
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	CoolGaN G5
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns
別の部品番号:	IGL65R080D2 SP006065174

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IGL65R080D2XUMA1 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源（SMPS）、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。