IGLD65R080D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGLD65R080D2AUMA
IGLD65R080D2AUMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

ライフサイクル:
新製品:
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Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
18 A
100 mOhms
- 10 V
1.2 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolGaN
GaN
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 17 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: GaN Transistors
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 8 ns
シリーズ: 650 V G5
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 11 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
別の部品番号: IGLD65R080D2 SP005918713
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データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フィリピン
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源（SMPS）、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。

在庫: 979

在庫：
979 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,009.9 ¥1,010
¥531.5 ¥5,315
¥485 ¥48,500
¥441.8 ¥220,900
¥425.2 ¥425,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥360.4 ¥1,081,200

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