IGW15N120H3

Infineon Technologies
726-IGW15N120H3
IGW15N120H3

メーカ：

詳細：
IGBT IGBT PRODUCTS

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 385

在庫：
385 すぐに出荷可能
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥692.8 ¥693
¥381.4 ¥3,814
¥374.9 ¥37,490
¥260.8 ¥125,184
¥254.3 ¥305,160

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.05 V
- 20 V, 20 V
30 A
217 W
- 40 C
+ 175 C
HighSpeed 3
Tube
ブランド: Infineon Technologies
ゲート - エミッタ リーク電流: 600 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: TRENCHSTOP
別の部品番号: SP000674430 IGW15N12H3XK IGW15N120H3FKSA1
単位重量: 38 g
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
中国
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

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