IMW65R072M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMW65R072M1HXKSA
IMW65R072M1HXKSA1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ライフサイクル:
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Infineon
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
26 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 6 ns
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 14.6 ns
シリーズ: IMW65R072
工場パックの数量: 240
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 21.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18.2 ns
別の部品番号: IMW65R072M1H SP005398438
単位重量: 6 g
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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
中国
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFET&ダイオード

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