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IPB95R310PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R310PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R310PFD7ATM
Price: 555 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPB95R310PFD7ATM

メーカ番号：

IPB95R310PFD7ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET LOW POWER_NEW

データシート:

IPB95R310PFD7ATMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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数量	ユニット価格	合計額
	¥555.2	¥555
	¥361.6	¥3,616
	¥254.4	¥25,440
	¥220.8	¥110,400
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥185.6	¥185,600
	¥179.2	¥358,400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	950 V
Id - 連続ドレイン電流:	17.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	310 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	61 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	61 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns
別の部品番号:	SP005547008

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選択した属性: 0

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データシート

IPB95R310PFD7ATMA1 データシート (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。