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IPP095N20NM6AKSA1

Name: Infineon IPP095N20NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP095N20NM6AKSA
Price: 793 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IPP095N20NM6AKSA

メーカ番号：

IPP095N20NM6AKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ライフサイクル:

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データシート:

IPP095N20NM6AKSA1 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥793.6	¥794
	¥412.8	¥4,128
	¥376	¥37,600
	¥372.8	¥186,400
	¥332.8	¥332,800
	¥300.8	¥752,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	PG-TO220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	116 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	53 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	23 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	30 ns
工場パックの数量:	500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	IPP095N20NM6 SP006070072

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のR_DS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。

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