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IPW95R310PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R310PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R310PFD7XKS
Price: 553 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPW95R310PFD7XKS

メーカ番号：

IPW95R310PFD7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET LOW POWER_NEW

データシート:

IPW95R310PFD7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥236.8	¥56,832
	¥198.4	¥95,232
	¥182.4	¥218,880

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	950 V
Id - 連続ドレイン電流:	17.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	310 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	61 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	125 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	61 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns
別の部品番号:	SP005547006

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データシート

IPW95R310PFD7XKSA1 データシート (PDF)

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。