IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

ISSI
870-66WV4M16EC70BLI
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

メーカ：

詳細：
SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL

データシート:
ECADモデル:
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ISSI IS66WVC4M16ECLL-7010BLIの詳細を読む

在庫: 230

在庫：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,383.6 ¥1,384
¥1,287.3 ¥12,873
¥1,249.1 ¥31,228
¥1,219.2 ¥60,960
¥1,189.3 ¥118,930
¥1,122.8 ¥538,944
¥1,078 ¥1,034,880

製品属性 属性値 属性の選択
ISSI
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
70 ns
104 MHz
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
VFBGA-54
ブランド: ISSI
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: IS66WVC4M16EALL
工場パックの数量: 480
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: PSRAM (Pseudo SRAM)
単位重量: 86 mg
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

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