IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 1041 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

870-WVR8M8FBLL104NLI

メーカ番号：

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

メーカ：

ISSI

詳細：

DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
メモリサイズ:	64 Mbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	104 MHz
パッケージ/ケース:	SOIC-8
編成:	8 M x 8
アクセス時間:	7 ns
供給電圧 - 最小:	2.7 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
ブランド:	ISSI
組立国:	Not Available
拡散国:	TW
原産国:	TW
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	100
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	15 mA

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データシート

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CAHTS:: 8542320020
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MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。