IXSH40N65L2KHV

Name: IXYS IXSH40N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N65L2KHV
Price: 1201 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXSH40N65L2KHV

メーカ番号：

IXSH40N65L2KHV

メーカ：

IXYS

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

IXSH40N65L2KHV データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXSH40N65L2KHVの詳細を読む

在庫: 550

在庫：: 550 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,201.6	¥1,202
	¥848	¥8,480
	¥707.2	¥70,720
	¥628.8	¥282,960
	¥560	¥504,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	43 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	78 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	64 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	174 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	9 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	12.7 ns
シリーズ:	IXSxNxL2Kx
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.3 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXSH40N65L2KHV データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kxシリコンカーバイド(SiC) MOSFETには、高阻止電圧があり、on状態抵抗[R_{DS (ON)}]が低く抑えられています。オン状態抵抗は25mΩ ~ 160mΩで、連続ドレイン電流(I_D)は20A ~ 111Aです。これらのデバイスには、低容量の高速スイッチングが備わっており、超高速真性ボディダイオードがあります。これらは、650Vまたは1200Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）定格でご用意があります。IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、3つのパッケージ（TO-263-7L、TOLL-8、TO-247-4L）で販売されています。