IXSH65N120L2KHV

IXYS
747-IXSH65N120L2KHV
IXSH65N120L2KHV

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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新製品:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,970.7 ¥1,971
¥1,426.3 ¥14,263
¥1,188.3 ¥118,830
完全リール（450の倍数で注文）
¥1,057.9 ¥476,055
¥987.8 ¥889,020

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
52 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 10.5 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 22.1 ns
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 19.3 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9.6 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kxシリコンカーバイド(SiC) MOSFETには、高阻止電圧があり、on状態抵抗[RDS (ON)]が低く抑えられています。オン状態抵抗は25mΩ ~ 160mΩで、連続ドレイン電流(ID)は20A ~ 111Aです。これらのデバイスには、低容量の高速スイッチングが備わっており、超高速真性ボディダイオードがあります。これらは、650Vまたは1200Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）定格でご用意があります。IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、3つのパッケージ（TO-263-7L、TOLL-8、TO-247-4L）で販売されています。

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