IXSH65N120L2KHV

Name: IXYS IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH65N120L2KHV
Price: 1603 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXSH65N120L2KHV

メーカ番号：

IXSH65N120L2KHV

メーカ：

IXYS

詳細：

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4L
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	65 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	52 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	110 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	10.5 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	22.1 ns
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	19.3 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9.6 ns

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IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kxシリコンカーバイド(SiC) MOSFETには、高阻止電圧があり、on状態抵抗[R_{DS (ON)}]が低く抑えられています。オン状態抵抗は25mΩ ~ 160mΩで、連続ドレイン電流(I_D)は20A ~ 111Aです。これらのデバイスには、低容量の高速スイッチングが備わっており、超高速真性ボディダイオードがあります。これらは、650Vまたは1200Vドレイン-ソース間電圧（VDSS）定格でご用意があります。IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、3つのパッケージ（TO-263-7L、TOLL-8、TO-247-4L）で販売されています。