IXYT85N120A4HV

Name: IXYS IXYT85N120A4HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYT85N120A4HV
Price: 5059 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXYT85N120A4HV

メーカ番号：

IXYT85N120A4HV

メーカ：

IXYS

詳細：

IGBT TO268 1200V 85A XPT

データシート:

IXYT85N120A4HV データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	D3PAK-3 (TO-268-3)
取り付け様式:	SMD/SMT
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.8 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	300 A
Pd - 電力損失:	1.15 kW
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	Trench
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
連続コレクタ電流 IC 最大値:	520 A
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	KR
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
水分感度:	Yes
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	XPT

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AC/DC電源

リテルヒューズ (Littelfuse) AC/DC電源は、電子設計で一般的に使用されているビルディングブロックです。これらの電源ビルディングブロックの部品は、信頼性が高く長持ちする必要があります。Littelfuseは、これらの要件に適合する広い範囲の製品を提供しています。このコンポーネントのポートフォリオは、過電流と過電圧保護、電力段、出力保護をカバーしています。代表的なアプリケーションforリテルヒューズ (Littelfuse)AC/直流電源Supply products include自動車 solar, industrial, manufacturing, and more.

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