KTDM4G4B626BGIEAT

SMARTsemi
473-M4G4B626BGIEAT
KTDM4G4B626BGIEAT

メーカ：

詳細：
DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial

データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,720 ¥1,720
¥1,598.4 ¥15,984
¥1,548.8 ¥38,720
¥1,512 ¥75,600
¥1,475.2 ¥147,520
¥1,425.6 ¥282,269
¥1,390.4 ¥825,898
¥1,379.2 ¥1,638,490

製品属性 属性値 属性の選択
SMART
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
16 bit
1.333 GHz
FBGA-96
256 M x 16
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 85 C
KTDM
Tray
ブランド: SMARTsemi
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 198
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

データシート

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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