MR4A16BCYS35R

Everspin Technologies
936-MR4A16BCYS35R
MR4A16BCYS35R

メーカ:

詳細:
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)

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数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥8,656 ¥8,656
¥7,995.2 ¥79,952
¥7,739.2 ¥193,480
¥7,737.6 ¥386,880
完全リール(1000の倍数で注文)
¥7,100.8 ¥7,100,800
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MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)

製品属性 属性値 属性の選択
Everspin Technologies
製品カテゴリー: MRAM(磁気抵抗メモリ)
RoHS:  
TSOP-II-54
Parallel
16 Mbit
1 M x 16
16 bit
35 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
- 40 C
+ 85 C
MR4A16B
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Everspin Technologies
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
Pd - 電力損失: 600 mW
製品タイプ: MRAM
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: Parallel I/O (x16)
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8542320312
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.