NTMFS0D4N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D4N04XMT1G
Price: 609 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTMFS0D4N04XMT1G

メーカ番号：

NTMFS0D4N04XMT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

データシート:

NTMFS0D4N04XMT1G データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,955

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	¥398.4	¥3,984
	¥312	¥31,200
	¥260.8	¥130,400
	¥224	¥224,000
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥211.2	¥316,800
	¥209.6	¥1,886,400
24,000	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	509 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	420 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	133 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	197 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	286 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11.1 mm
シリーズ:	NTMFS0D4N04XM
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	49.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	34.5 ns

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データシート

NTMFS0D4N04XMT1G データシート

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench技術

Onsemi PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

クラウドパワーマネジメントソリューション

onsemiクラウドパワーマネジメントソリューションは、インフラに不可欠なコンピューティングと接続性を提供します。これらのソリューションは、プロセッサ、メモリバンク、無線基地局にとって重要な電力を供給します。クラウドへの移行が進む中で、効率性と信頼性の重要性はますます高まっています。特にAIサーバーは、最適なパフォーマンスと効率を確保するために信頼性の高い電源を必要としており、AIによるオペレーションの整合性と機能性を維持できるソリューションが不可欠です。onsemiは、AC-DC変換、多相変換、ポイントオブロード電源、ホットスワップ保護など、クラウドインフラのさまざまな電力ニーズに対応する多様なソリューションを提供しています。最先端のテクノロジーや信頼性の高いパフォーマンス、アプリケーションの高度な専門知識を有するonsemiは、基地局、サーバー、データセンターなど、今日のデータ環境における電源供給の理想的なパートナーです。

40V パワーMOSFET

オンセミ (onsemi) 40VパワーMOSFET は標準のゲートレベル技術を特徴とし、クラス最高のオン抵抗を誇ります。オンセミ (onsemi) MOSFETは、モータドライバアプリケーション用に設計されています。このデバイスは、より低いオン抵抗とゲート電荷の低減によって、導通損失と駆動損失を効果的に最小限に抑えます。さらに、MOSFETは、ボディダイオード逆回復のための優れたソフト性制御を実現しており、アプリケーションに追加のスナバ回路を必要とせずに電圧スパイク応力を効果的に軽減します。