NTMT130N70GN1TXG

onsemi
863-NTMT130N70GN1TXG
NTMT130N70GN1TXG

メーカ：

詳細：
GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-9
N-Channel
1 Channel
700 V
16 A
130 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.65 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Enhancement
GaNEXUS
GaN
ブランド: onsemi
構成: Single
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: GaN FETs
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GaNEXUS™ GaN FET

オンセミ (onsemi) GaNEXUS™窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）は、GaNのワイドバンドギャップ材質特性を利用して、高速スイッチング、低ゲートおよび出力充電、そしてシリコン電力トランジスタと比較して強化された効率性を実現します。これらの機能により、低電圧、中電圧、高電圧、超高電圧の電力変換アプリケーションにおいて、より高い動作周波数、電力密度の向上、および磁気成分の低減が可能になります。エンハンスメントモードのディスクリートGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）には、40Vから650Vまでの電圧範囲を提供し、信頼性を向上させ、システム統合を簡素化するための統合保護を備えた650V GaNEXUSスマートGaN FETも含まれています。オンセミ (onsemi) GaNEXUSファミリの理想的な用途には、産業用オートメーション、ロボット工学、AIデータセンター、自動車電化、およびエネルギーインフラストラクチャが含まれます。

在庫: 2,475

在庫：
2,475 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
21 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 248
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥453.5 ¥454
¥292.3 ¥2,923
¥201 ¥20,100
完全リール（250の倍数で注文）
¥201 ¥50,250

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