NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 449 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTTFD9D0N06HLTWG

メーカ番号：

NTTFD9D0N06HLTWG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

データシート:

NTTFD9D0N06HLTWG データシート

ECADモデル:

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	¥164.8	¥82,400
	¥157.4	¥157,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥153.4	¥460,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	WDFN-12
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	13.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	26 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTTFD9D0N06HL
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

NTTFD9D0N06HLTWG データシート

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFET

OnsemiNTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HLNチャンネルMOSFETは、WQFN12パッケージのPOWERTRENCH®パワークリップ対称デュアルチャンネルMOSFETです。これらのデバイスには、2つの特殊なNチャンネルMOSFETがデュアルパッケージに搭載されています。スイッチノードは内部的に接続されており、同期降圧コンバータの簡単な配置とルーティングが可能です。制御MOSFET (Q2) および同期MOSFET (Q1) は、最適な電力効率を実現するように設計されています。Onsemi NTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFETには、低R_{DS (on)} 、低Q_G と静電容量、低伝導/ドライバ損失が備わっています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータ、汎用ポイントオブロード、単相モータドライブ、コンピューティング、通信があります。

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (R_DS(ON)) 、超低ゲート充電 (Q_g) 、低 (Q_g) ×R_DS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQ_g とQ_oss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。