NTTFS3D7N06HLTWG

onsemi
863-NTTFS3D7N06HLTWG
NTTFS3D7N06HLTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
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¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥377.6 ¥378
¥241.6 ¥2,416
¥188.8 ¥18,880
¥158.2 ¥79,100
¥144.2 ¥144,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥128.3 ¥384,900

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
60 V
103 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
32.7 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTTFS3D7N06HL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
単位重量: 122.136 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (RDS(ON)) 、超低ゲート充電 (Qg) 、低 (Qg) ×RDS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQg とQoss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。

NTTFSxD1N0xHL NチャンネルPowerTrench® MOSFET

Onsemi NTTFSxD1N0xHLNチャンネルPowerTrench®MOSFETは、超低RDS (on) のために 高性能シールドゲートMOSFETテクノロジーを採用しています。これらのOnsemiシングルチャンネルMOSFETは、低いスイッチングノイズ／EMI、 100% UILテスト済みの堅牢なMSL1パッケージ設計を提供します。NTTFSxD1N0xHL MOSFET は、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠のWDFN8パッケージで提供されます。代表的なアプリケーションには、DC/DC降圧コンバータ、ポイントオブロード、高効率の負荷スイッチとローサイドスイッチング、ORing FET、DC/DC電源、MV同期降圧コンバータがあります。

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