NVMFWS0D6N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS0D6N04XMT1G
NVMFWS0D6N04XMT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 167

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1,500
予想2026/03/06
工場リードタイム：
20
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥641.6 ¥642
¥420.8 ¥4,208
¥310.4 ¥31,040
¥275.2 ¥137,600
¥236.8 ¥236,800
完全リール（1500の倍数で注文）
¥220.8 ¥331,200

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
380 A
570 uOhms
20 V
3.5 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 175 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15.7 ns
シリーズ: NVMFWS0D6N04XM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 61.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 32.8 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

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