NVMJS1D5N04CLTWG

onsemi
863-NVMJS1D5N04CLTWG
NVMJS1D5N04CLTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥392 ¥392
¥252.8 ¥2,528
¥172.8 ¥17,280
¥138.1 ¥69,050
¥127 ¥127,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥127 ¥381,000

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 256 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 140 ns
シリーズ: NVMJS1D5N04CL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 31 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15 ns
単位重量: 99.445 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

LFPAK8車載用パワーMOSFET

onsemi LFPAK8車載用パワーMOSFETは、AEC-Q101の認定を受けているシングルNチャンネルパワーMOSFETで、小型5mm x 6mmフットプリントになっており、コンパクトな設計に最適です。これらのデバイスは、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴で、導電損失および低ゲート電荷と静電容量を最小限に抑え、ドライバ損失を最小化できます。これらの産業グレードパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～+175°Cの広い動作温度範囲が特徴です。

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

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