NVMYS011N04CTWG

onsemi
863-NVMYS011N04CTWG
NVMYS011N04CTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥219.2 ¥219
¥137.8 ¥1,378
¥91.4 ¥9,140
¥71.4 ¥35,700
¥64.8 ¥64,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥59.7 ¥179,100

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
35 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
7.9 nC
- 55 C
+ 175 C
28 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 111 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 16 ns
シリーズ: NVMYS011N04C
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 16 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
単位重量: 75 mg
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

LFPAK4車載用パワーMOSFET

onsemi LFPAK4車載用パワーMOSFETは、AEC-Q101の認定を受けているシングルNチャンネルMOSFETで、小型5mm x 6mmフットプリントになっており、コンパクトな設計に最適です。これらのデバイスは、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴で、導電損失および低ゲート電荷と静電容量を最小限に抑え、ドライバ損失を最小化できます。これらの産業グレードパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～+175°Cの広い動作温度範囲が特徴です。

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

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