NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi
863-NVMYS6D2N06CLTWG
NVMYS6D2N06CLTWG

メーカ：

詳細：
MOSFET T6 60V LL LFPAK

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NVMYS6D2N06CLTWGの詳細を読む

在庫: 8

在庫：
8
すぐに出荷可能
取寄中:
3,000
予想2026/07/17
工場リードタイム：
29
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥284.8 ¥285
¥180.8 ¥1,808
¥121.8 ¥12,180
¥96.3 ¥48,150
¥88 ¥88,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥77.4 ¥232,200

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
60 V
71 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
61 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NVMYS6D2N06CL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。

LFPAK4車載用パワーMOSFET

onsemi LFPAK4車載用パワーMOSFETは、AEC-Q101の認定を受けているシングルNチャンネルMOSFETで、小型5mm x 6mmフットプリントになっており、コンパクトな設計に最適です。これらのデバイスは、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴で、導電損失および低ゲート電荷と静電容量を最小限に抑え、ドライバ損失を最小化できます。これらの産業グレードパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～+175°Cの広い動作温度範囲が特徴です。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。