PJQ4435EP_R2_00201 MOSFET

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Reel
Panjit PJQ4435EP-R2-00201
Panjit MOSFET
データシート
N/A