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RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 398 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RD3N03BATTL1

メーカ番号：

RD3N03BATTL1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

RD3N03BATTL1 データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	64 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	50 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	54 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	69 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	13.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	225 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns

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選択した属性: 0

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

小信号デュアルチャンネルMOSFET

ROHM Semiconductor 小信号デュアルチャネルMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングを特長としています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、無鉛メッキが施されています。デュアルチャンネルMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、モータドライブおよびスイッチングアプリケーションで使用されます。