RGS30TSX2GC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2GC11
RGS30TSX2GC11

メーカ：

詳細：
IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT

データシート:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,199.7 ¥1,200
¥828 ¥8,280
¥595 ¥59,500
¥550.9 ¥247,905
¥511.8 ¥460,620

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
ゲート - エミッタ リーク電流: 500 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: IGBTs
別の部品番号: RGS30TSX2
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選択した属性: 0

データシート

PCN

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBTは、10µs SCSOA（短絡安全動作領域）保証の絶縁ゲートバイポーラトランジスタで、一般的なインバータ、UPS、PVインバータ、パワーコンディショナ・アプリケーションに適しています。RGSx0TSX2x IGBTには、サイズの削減と効率性の向上に貢献する低導通損失が備わっています。これらのデバイスには、独自のトレンチゲートおよび薄型ウエハー技術が活用されています。これらのテクノロジーは、スイッチング損失が低減される低コレクタエミッタ飽和電圧（VCE(sat)）の達成に貢献します。これらのIGBTは、さまざまな高電圧・大電流アプリケーションでの省エネを改善します。

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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