RN2301,LXHF
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製品仕様をご覧ください
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757-RN2301LXHF
RN2301,LXHF
メーカ：
詳細：
デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323)
デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323)
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Application Notes
- Application Note
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- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Other
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CAHTS:
- 8541210000
- USHTS:
- 8541210095
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 8541210100
- ECCN:
- EAR99
