SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 3288 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT012H90G3AG

メーカ番号：

SCT012H90G3AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	900 V
Id - 連続ドレイン電流:	110 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	12 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	138 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	625 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	30 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	47 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	silicon carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	82 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	37 ns

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