SCT025H120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT025H120G3AG
SCT025H120G3AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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合計 額
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¥1,948.8 ¥19,488
¥1,819.2 ¥181,920
完全リール（1000の倍数で注文）
¥1,484.8 ¥1,484,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
55 A
37 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 25 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: SiC MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 27 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 48 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23 ns
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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