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SI7850ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7850ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7850ADP-T1-GE3
Price: 314 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI7850ADP-T1-GE3

メーカ番号：

SI7850ADP-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

データシート:

SI7850ADP-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 12,835

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完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥314.6	¥315
	¥200.5	¥2,005
	¥134.5	¥13,450
	¥106.3	¥53,150
	¥97.3	¥97,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥86.2	¥258,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	12 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	19.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V
Qg - ゲート電荷:	11.1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	35.7 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	39 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	21 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N Channel
標準電源切断遅延時間:	10 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
単位重量:	506.600 mg

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データシート

SI7850ADP-T1-GE3 データシート

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SI78 Nチャンネル（D-S）MOFSET

Vishay SemiconductorsのSI78 Nチャネル（D-S）パワーMOSFETは、厚さわずか1.07mmの新しい低熱抵抗型PowerPAK^®パッケージでご用意しています。これらのNチャネル（D-S）パワーMOSFETは、PWMに最適化され、100%R_g試験済み、ハロゲンフリー、RoHS準拠です。SI78 MOSFETは、DC/DCコンバータ、DC/DCアプリケーション用の一次側スイッチ、および同期整流器に使用されます。

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。