SI8817DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1

メーカ：

詳細：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥116.8 ¥117
¥70.6 ¥706
¥46.4 ¥4,640
¥35.4 ¥17,700
¥31.2 ¥31,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥25 ¥75,000
¥24.3 ¥145,800
¥21.4 ¥192,600
¥21.3 ¥511,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
2.9 A
61 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 22 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 5 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 20 ns
シリーズ: SI8
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 52 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20 ns
単位重量: 45.104 mg
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選択した属性: 0

データシート

Models

Technical Resources

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541210000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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