SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1

メーカ：

詳細：
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Vishay Semiconductors SI8902AEDB-T2-E1の詳細を読む

在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
最小: 6000   倍数: 3000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
完全リール（3000の倍数で注文）
¥45.8 ¥274,800

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
N-Channel
1 Channel
24 V
11 A
28 mOhms
- 12 V, 12 V
400 mV
- 55 C
+ 150 C
5.7 W
Enhancement
Reel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 12 us
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 15 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 3.5 us
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 25 us
ターンオン時の標準遅延時間: 1.5 us
単位重量: 128.380 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

統合MOSFETソリューション

Vishay統合MOSFETソリューションは、コンポーネントが単一モノシリック・チップに組み合わされており、電力密度の増大、効率性の向上、設計の簡素化、部品表（BOM）コストの削減を実現できます。また、これらのシングルおよびマルチダイMOSFETには、ショットキー・バリア・ダイオードとESD保護といった機能が統合されています。これらのMOSFETは、低オン抵抗NチャンネルおよびPチャンネルTrenchFET® 技術と低熱抵抗が特徴です。

共通ドレインが備わった統合MOSFET

Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V～200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W～69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ～26mΩです。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。