SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

メーカ：

詳細：
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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Vishay / Siliconix SIR5607DP-T1-RE3の詳細を読む

在庫: 8,842

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取寄中:
5,825
予想2026/03/23
工場リードタイム：
13
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥531.2 ¥531
¥353.6 ¥3,536
¥256 ¥25,600
¥225.6 ¥112,800
¥224 ¥224,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥184 ¥552,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 52 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 320 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 45 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DNおよびSiSS54DN NチャンネルTrenchFET® Gen V MOSFET

Vishay/Siliconix SiSS52DNおよびSiSS54DN NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFETは、非常に低いRDS（on）でより高い電力密度を実現できます。 このパワーMOSFETは、30V VDS および超低RDS x Qg メリット指数（FOM）に対応します。SiSS52DN NチャンネルMOSFETは、一般的に162A ID および19.9nC Qgが特徴です。SiSS54DN NチャンネルMOSFETは、概して185.6A ID および21nC Qg が特徴です。このMOSFETは、Rg および非クランプ誘導スイッチング（UIS）試験を完了しており、熱的に強化されたコンパクトなPowerPAK® 1212-8Sパッケージに格納、単一構成になっています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータ、ポイントオブロード（POL）、同期整流、パワーと負荷スイッチ、バッテリ管理があります。

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