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SISF00DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF00DN-T1-GE3
Price: 323 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SISF00DN-T1-GE3

メーカ番号：

SISF00DN-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

データシート:

SISF00DN-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 15,979

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥323.2	¥323
	¥206.4	¥2,064
	¥139.4	¥13,940
	¥110.7	¥55,350
	¥102.1	¥102,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥89.8	¥269,400
	¥89.3	¥535,800
24,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-1212-8SCD-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 16 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.1 V
Qg - ゲート電荷:	53 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69.4 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET, PowerPAK
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Dual
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	130 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	32 ns
シリーズ:	SISF
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns
単位重量:	488.500 mg

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選択した属性: 0

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データシート

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Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。

統合MOSFETソリューション

Vishay統合MOSFETソリューションは、コンポーネントが単一モノシリック・チップに組み合わされており、電力密度の増大、効率性の向上、設計の簡素化、部品表（BOM）コストの削減を実現できます。また、これらのシングルおよびマルチダイMOSFETには、ショットキー・バリア・ダイオードとESD保護といった機能が統合されています。これらのMOSFETは、低オン抵抗NチャンネルおよびPチャンネルTrenchFET^®技術と低熱抵抗が特徴です。

共通ドレインが備わった統合MOSFET

Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V～200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W～69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ～26mΩです。