SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
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合計 額:
¥-
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数量 ユニット価格
合計 額
¥371.2 ¥371
¥220.8 ¥2,208
¥164.8 ¥16,480
完全アモパック（3000の倍数で注文）
¥139.5 ¥418,500
¥89.8 ¥538,800

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
2.15 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
PowerPAK
Ammo Pack
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 105 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 17 ns
シリーズ: SISF
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 25 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
単位重量: 1 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

共通ドレインが備わった統合MOSFET

Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V～200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W～69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ～26mΩです。

統合MOSFETソリューション

Vishay統合MOSFETソリューションは、コンポーネントが単一モノシリック・チップに組み合わされており、電力密度の増大、効率性の向上、設計の簡素化、部品表（BOM）コストの削減を実現できます。また、これらのシングルおよびマルチダイMOSFETには、ショットキー・バリア・ダイオードとESD保護といった機能が統合されています。これらのMOSFETは、低オン抵抗NチャンネルおよびPチャンネルTrenchFET® 技術と低熱抵抗が特徴です。

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