SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥379.2 ¥379
¥243.2 ¥2,432
¥196.8 ¥19,680
¥192 ¥96,000
¥180.8 ¥180,800
完全リール(3000の倍数で注文)
¥126.9 ¥380,700
¥102.9 ¥617,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212SCD-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Dual
下降時間: 5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5 ns
シリーズ: SISF
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 10 ns
単位重量: 488.500 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。  

共通ドレインが備わった統合MOSFET

Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V~200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W~69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ~26mΩです。