SISS70DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS70DN-T1-GE3
SISS70DN-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥304 ¥304
¥193.6 ¥1,936
¥130.6 ¥13,060
¥103.5 ¥51,750
¥95.8 ¥95,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥82.2 ¥246,600
¥78.2 ¥469,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK1212-8
N-Channel
1 Channel
125 V
31 A
29.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15.3 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 9 ns
シリーズ: SISS
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 20 ns
単位重量: 1 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SISS7xDN TrenchFET MOSFET

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETには、ThunderFETテクノロジを採用しているTrenchFET®が活用されており、RDS、QG、QSW、QOSSのバランスを最適化できます。これらのMOSFETは、100% Rgおよび非圧着誘導スイッチング（UIS）の試験済です。SISS7xDN TrenchFET MOSFETは、一次側スイッチング、同期整流、DC/DCコンバータ、モータ駆動制御、負荷スイッチのアプリケーションに見られます。これらのMOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージでご用意があります。

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