SQJ116EP-T1_GE3 MOSFET

結果: 2
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Vishay MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
データシート
380在庫
3,000予想2026/02/25
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET
データシート
N/A
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 278 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement