SQJ131ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQJ131ELP-T1_GE3
SQJ131ELP-T1_GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 2,600

在庫:
2,600 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥417.3 ¥417
¥265.7 ¥2,657
¥179.3 ¥17,930
¥151.1 ¥75,550
¥129.6 ¥129,600
¥121.1 ¥363,300
¥116.4 ¥698,400

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8L-4
P-Channel
1 Channel
30 V
300 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
207 nC
- 55 C
+ 175 C
500 W
Enhancement
TrenchFET
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 29 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 80 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 10 ns
シリーズ: SQJ
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 104 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99