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SQJ182EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ182EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SQJ182EP-T1-GE3
Price: 404 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

781-SQJ182EP-T1-GE3

メーカ番号：

SQJ182EP-T1_GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:

SQJ182EP-T1_GE3 データシート

ECADモデル:

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完全リール（3000の倍数で注文）
	¥125.3	¥375,900

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	210 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	64 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	395 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
シリーズ:	SQJ
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns

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選択した属性: 0

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データシート

SQJ182EP-T1_GE3 データシート

Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ車載用MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ車載用MOSFETは、TrenchFET^®Gen IV Nチャンネル40V_DSパワーMOSFETです。これらのAEC-Q101規格に適合したこれらのMOSFETは、100%のRgおよびUIS(クランプされていない誘導性スイッチング)テストを実施し、スイッチング特性を最適化する1未満のQgd/Qgs比を実現しています。SQJ車載用MOSFETは、非常に低いRDS(on)を提供し、-55℃から175℃の温度範囲で動作します。これらの車載グレードMOSFETは、シングル/デュアル構成のPowerPAK^® SO-8Lパッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、エンジン管理、モータドライブとアクチュエータ、バッテリ管理があります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。