SSM3K324R,LF

Toshiba
757-SSM3K324RLF
SSM3K324R,LF

メーカ:

詳細:
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

ECADモデル:
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在庫: 25,968

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工場リードタイム:
26 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥60.8 ¥61
¥37.3 ¥373
¥23.7 ¥2,370
¥17.6 ¥8,800
¥15.7 ¥15,700
完全リール(3000の倍数で注文)
¥13 ¥39,000
¥11.7 ¥70,200
¥9.9 ¥89,100
¥8.6 ¥206,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: SSM3K324
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 11 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

ディスクリート・ソリッドステートドライブ(SSD)ソリューション

Toshibaディスクリート・ソリッドステートドライブ(SSD)ソリューションは、TVS、ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)、LDO、負荷スイッチIC、新しいパワフルなeFuse ICを活用した最新要件を満たす広い製品ラインナップが特徴です。これらのSSDは、従来のハードディスクドライブ(HDD)より迅速にデータを解析できます。SSD技術の向上にともない、重要なデータを障害から安全に保持するための保護とともに、ますます厳格になる電力需要に適合するパワー回路が必要になります。Toshibaは、異常な入力電力状態、およびホットプラグ時の過電圧サージに対処するように設計された電力入力、保護IC、ダイオードの制御を目的とした負荷スイッチとMOSFETの広いラインナップを提供しています。

U-MOSVII-H MOSFET

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETは、ロジックレベルのゲート駆動および低電圧ゲート駆動デバイスで、シングルNチャンネルおよびデュアルNチャンネルの両方のバージョンで販売されています。これらのデバイスには、12V~60Vのドレイン-ソース電圧範囲および0.15m~9.0Aの連続ドレイン電流範囲があります。U-MOSVII-H MOSFETは、幅広いコンパクト表面実装パッケージタイプで販売されており、高密度アプリケーションに最適です。