ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

[結果検索] に戻る

SSM6K361NU,LF

Name: Toshiba SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K361NULF
Price: 104 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

757-SSM6K361NULF

メーカ番号：

SSM6K361NU,LF

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

データシート:

SSM6K361NU,LF データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Toshiba SSM6K361NU,LFの詳細を読む

在庫状況

在庫：: 0

この製品は入荷待ちとして購入することができます。

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 122,970

予想2026/03/06
工場リードタイム：: 19

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥104	¥104
	¥64.3	¥643
	¥44.5	¥4,450
	¥33.8	¥16,900
	¥29.8	¥29,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥25.1	¥75,300
	¥22.7	¥136,200
	¥20.5	¥184,500

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	UDFN-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	3.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	51 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.5 V
Qg - ゲート電荷:	3.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.25 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	U-MOSVIII-H
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Toshiba
構成:	Single
下降時間:	7 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
シリーズ:	SSM6K
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	16 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	21 ns
単位重量:	8.500 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SSM6K361NU,LF データシート (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SSMxシリコンMOSFET

Toshiba SSMxシリコンMOSFETは、高度テクノロジーを活用して設計されており、低R_ON特性を達成しています。SSMxは、非常にコンパクトで2 x 2mmおよびと2.9 x 2.8mmという薄さになっており、スマートフォンやウェアラブルデバイスといったバッテリ駆動デバイスに必須の損失が低く抑えられているコンパクトなサイズのMOSFETです。

産業用および照明アプリケーション用MOSFET

工業用および照明アプリケーション用Toshiba 60Vおよび100VパワーMOSFETには、60V SSM3K341と100V SSM3K361ファミリがあります。これらの新しいMOSFETは、業界を代表する低オン抵抗を実現しており、テレビや工業用照明での負荷切替に最適です。また、産業オートメーションシステムに必要な低から中程度の電力の良い候補です。

SSM6x NチャンネルおよびPチャンネルMOSFET

Toshiba SSM6x NチャンネルおよびPチャンネルMOSFETは、パワーマネジメント・スイッチおよびアナログスイッチの両方として動作する高速スイッチング機能が搭載されています。これらのMOSFETは、異なるセットのゲートからソースへの電圧範囲を対象に、最低1.1mΩ～最高115Ωという非常に低いON抵抗を実現しています。SSM6 MOSFETは、小型パッケージでご用意があり、表面実装に対応しています。これらのMOSFETには、低ドレイン-ソース・オン抵抗があり、DC-DCコンバータとして動作します。SSM6 MOSFETは、最小1.2V～4.5Vまでの最大ゲート電圧を駆動します。これらのMOSFETは、発熱を抑え、最大150mWまでのドレイン・パワー損失を低減します。SM66 MOSFETは、12V～100V入力電圧範囲で動作します。