SSM6K514NU,LF

Toshiba
757-SSM6K514NULF
SSM6K514NU,LF

メーカ:

詳細:
MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET

ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥102.4 ¥102
¥67.2 ¥672
¥45.3 ¥4,530
¥35.4 ¥17,700
¥31.4 ¥31,400
完全リール(3000の倍数で注文)
¥26.4 ¥79,200
¥23.7 ¥142,200
¥20.5 ¥184,500
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
40 V
12 A
8.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Single
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 6.8 S
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: SSM6K
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 8.500 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SSMxシリコンMOSFET

Toshiba SSMxシリコンMOSFETは、高度テクノロジーを活用して設計されており、低RON特性を達成しています。SSMxは、非常にコンパクトで2 x 2mmおよびと2.9 x 2.8mmという薄さになっており、スマートフォンやウェアラブルデバイスといったバッテリ駆動デバイスに必須の損失が低く抑えられているコンパクトなサイズのMOSFETです。

ディスクリート・サーモスタッド・ソリューション

Toshibaディスクリート・サーモスタット・ソリューションは、さらに小さなフットプリントでの信頼性と性能の向上を実現しています。スマート・ホーム・デバイスの数の急増に加えて、エネルギー効率が高いソリューションに対する需要の加速にともない、スマート・サーモスタットの大幅な成長が促進されるでしょう。エネルギーの効率的な節約、スマートな制御、単位あたりのエネルギーコストの削減は、業界を前進させるための重要なパラメータの一部です。これらのデバイスの機能性を性能を向上させるには、’稼働寿命の増大に加えて電力消費の低減とスペース要件の削減が不可欠です。Toshibaは、これらの重要な要件などに適合する製品を販売しています。最新のLDOテクノロジーとフォトリレーによって、サーモスタットやその他の類似設計で多くの成功を収めています。

USB Type Cデータマルチプレクサ & 配電スイッチ

Toshiba USB Type Cデータマルチプレクサ&電源供給スイッチ モバイルアプリケーションで新機能、新技術に対応しています。 デバイスは、充電電圧が以前より高くなったUSB電源供給システムを採用しています。たとえば、20V/5A用の  100W充電システムは、30Vトレラントスイッチが必要になります。Toshibaは、過電圧保護およびスルーレート制御機能を備えたMOSFETスイッチ、ICスイッチなどの低抵抗30Vスイッチを提供しています。

U-MOSIX-H MOSFET

Toshiba U-MOSIX-H低電圧Nチャンネル・エンハンスメントモードMOSFETは、二次側のAC-DC電源での使用を目的に特別に設計されている高効率MOSFETです。これには、ノートブックPCアダプタ、ゲームコンソール、サーバー、デスクトップPC、フラットパネルが含まれています。通信機器、サーバ、データセンター用のDC-DC電源も含まれています。これらは、ハイスピード・スイッチング、小ゲート電荷、低ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴です。これらのMOSFETは、Gen-8およびGen-9 Trench MOSプロセスを用いて製造されています。U-MOSIX-H低電圧MOSFETは、電源の効率向上に役立ちます。