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SSM6N67NU,LF

Name: Toshiba SSM6N67NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N67NULF
Price: 97 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

757-SSM6N67NULF

メーカ番号：

SSM6N67NU,LF

メーカ：

Toshiba

詳細：

MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

データシート:

SSM6N67NU,LF データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 30,335

在庫：: 30,335

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予想2026/03/06

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¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥97.6	¥98
	¥60.6	¥606
	¥38.9	¥3,890
	¥29.4	¥14,700
	¥26.1	¥26,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥21.3	¥63,900
	¥19.7	¥118,200
	¥17	¥153,000
	¥16.3	¥391,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Toshiba
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	UDFN-6
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	39.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	400 mV
Qg - ゲート電荷:	3.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	U-MOSVII-H
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Toshiba
構成:	Dual
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	6 S
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	SSM6N67NU
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	26 ns
単位重量:	8.500 mg

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選択した属性: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SSM6N67NU,LF データシート (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVII-H MOSFET

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETは、ロジックレベルのゲート駆動および低電圧ゲート駆動デバイスで、シングルNチャンネルおよびデュアルNチャンネルの両方のバージョンで販売されています。これらのデバイスには、12V～60Vのドレイン-ソース電圧範囲および0.15m～9.0Aの連続ドレイン電流範囲があります。U-MOSVII-H MOSFETは、幅広いコンパクト表面実装パッケージタイプで販売されており、高密度アプリケーションに最適です。

SSMxシリコンMOSFET

Toshiba SSMxシリコンMOSFETは、高度テクノロジーを活用して設計されており、低R_ON特性を達成しています。SSMxは、非常にコンパクトで2 x 2mmおよびと2.9 x 2.8mmという薄さになっており、スマートフォンやウェアラブルデバイスといったバッテリ駆動デバイスに必須の損失が低く抑えられているコンパクトなサイズのMOSFETです。