STF80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STF80N1K1K6
STF80N1K1K6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥393.6 ¥394
¥251.2 ¥2,512
¥171.2 ¥17,120
¥142.9 ¥71,450
¥125.8 ¥125,800
¥116.5 ¥291,250
¥112.5 ¥562,500

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 14 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.3 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 22 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7.4 ns
単位重量: 1.690 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V(最小値)、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C~150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。