TGA2237-SM

Qorvo
772-TGA2237-SM
TGA2237-SM

メーカ：

詳細：
RF 増幅器 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB

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データシート:
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¥-
合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥25,072 ¥626,800

製品属性 属性値 属性の選択
Qorvo
製品カテゴリー: RF 増幅器
RoHS:  
30 MHz to 2.5 GHz
32 V
360 mA
19 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
QFN-32
GaN SiC
33 dBm
- 40 C
+ 85 C
TGA2237
Waffle
ブランド: Qorvo
開発キット: TGA2237-SM Eval Board
入力リターン損失: 10 dB
水分感度: Yes
チャンネル数: 1 Channel
Pd - 電力損失: 19 W
製品タイプ: RF Amplifier
工場パックの数量: 25
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
別の部品番号: TGA2237
単位重量: 188.600 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8542330996
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Power Amplifiers

Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.

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Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

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