TGF2929-FS

Qorvo
772-TGF2929-FS
TGF2929-FS

メーカ：

詳細：
GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN

データシート:
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製品属性 属性値 属性の選択
Qorvo
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
144 W
ブランド: Qorvo
水分感度: Yes
パッケージ化: Tray
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: TGF2929
工場パックの数量: 25
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN-on-SiC
タイプ: RF Power MOSFET
別の部品番号: TGF2929 1123716
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データシート

PCN

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JPHTS:
854239099
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaNトランジスタRF

Qorvo QPD GaN RFトランジスタは、マクロセル高効率システム用の基地局パワーアンプの最終段階であるDohertyアーキテクチャで使用されます。これらのGaNトランジスタは、単一段整合パワーアンプ・トランジスタが搭載されたSiC HEMT上のディスクリートGaNです。一般的なアプリケーションには、W-CDMA/LTE、マクロセル基地局、アクティブアンテナ、汎用アプリケーションがあります。

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