TK110A65Z,S4X

Toshiba
757-TK110A65ZS4X
TK110A65Z,S4X

メーカ：

詳細：
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

データシート:
ECADモデル:
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数量 ユニット価格
合計 額
¥936 ¥936
¥497.6 ¥4,976
¥448 ¥44,800
¥377.6 ¥188,800

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 4 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 28 ns
シリーズ: DTMOS VI
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 90 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 52 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFETは、スイッチング電源で動作するように設計されています。これらのNチャンネルMOSFETは、高速スイッチング特性が特徴で、容量が低く抑えられています。650V DTMOS-VIスーパージャンクションMOSFETは、標準で0.092Ω～0.175Ωとドレイン・ソース間ON抵抗低く抑えられているシリコンMOSFETです。これらのデバイスには、10Vのドレイン-ソース電圧があります。

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