TK110U65Z,RQ

Toshiba
757-TK110U65ZRQ
TK110U65Z,RQ

メーカ：

詳細：
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 3,792

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥857.6 ¥858
¥456 ¥4,560
¥422.4 ¥42,240
完全リール（2000の倍数で注文）
¥404.8 ¥809,600
¥403.2 ¥1,612,800
10,000 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
2-10AF1A-9
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
86 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Single
下降時間: 4 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18 ns
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 90 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 45 ns
単位重量: 750 mg
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DTMOSVI MOSFET

Toshiba DTMOSVIシリーズMOSFETには、低ドレイン-ソースON抵抗 (RDS(ON)= 0.033 Ω (typ)) が備わっています。これらのデバイスには、ドレイン発信源電圧650Vがあり、ドレイン電流57Aが備わっています。DTMOSVIシリーズMOSFETには、静電容量が低いさらなる高速スイッチング特性が備わっています。これらのMOSFETは、スイッチング電源アプリケーションでの使用に最適です。

高電圧DTMOS VI MOSFET（TOLLパッケージに格納）

Toshiba高電圧DTMOSVI MOSFETはTOLLパッケージに収められており、低ドレインソース間ON抵抗（Rdson）および静電容量がさらに低い高速スイッチング特性が特徴です。これによっては、スイッチング電源アプリケーションに最適です。この最新世代DTMOSVIには、最低性能指数RDS（ON）xQgdが備わっており、新しいTOLLパッケージ（9.9 × 11.68 × 2.3mm）に格納されています。ターンオンおよびターンオフ損失を低減するKelvinソース接続搭載です。

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