TK16J60W,S1VE

Toshiba
757-TK16J60WS1VE
TK16J60W,S1VE

メーカ：

詳細：
MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

データシート:
ECADモデル:
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数量 ユニット価格
合計 額
¥1,093.7 ¥1,094
¥772.6 ¥7,726
¥534.6 ¥53,460
¥526.5 ¥263,250

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
600 V
15.8 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
DTMOSIV
Tray
ブランド: Toshiba
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 25 ns
工場パックの数量: 25
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 100 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 50 ns
単位重量: 4.600 g
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TK16x60W Si NチャンネルMOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si NチャンネルMOSFET（DTMOSIV）は、DTMOSIV世代のチップ設計を示しており、さまざまな型式があります。Si NチャンネルMOSFETは、低ドレイン-ソース間ON抵抗および高速逆回復時間が特徴です。これらのMOSFETは、ゲートスイッチングを簡単に制御できます。TK16x60W MOSFETは、さまざまな寸法でご用意があり、DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220、TO-220SISの各パッケージに収められています。これらのTK16x60W Si NチャンネルMOSFETは、スイッチング電圧レギュレータに使用されます。

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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